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在某高端半导体设备制造企业所进行的晶圆传输系统关键部件即陶瓷静电吸盘的制造进程当中,由于该部件表面需完成超薄膜层的沉积操作,而任何处于亚微米级别的污染物均可能造成薄膜呈现不均匀状态、产生颗粒缺陷等问题,这些问题又会对晶圆制造的良率形成直接影响,所以该企业正面临着纳米级污染控制这一极为严峻的挑战,且传统清洗方式在实际应用中,难以在确保基材不受任何损伤的前提之下,达成原子级的清洁度与活化效果。

针对半导体行业那对“超洁净”有着的极致追求与严苛标准,诚峰智造凭借着自身所积累的十余年真空等离子技术方面的深厚沉淀,为满足这一极高要求而特别精心开发出了镜面真空等离子处理系统,此设备选用医疗级的经过镜面抛光处理且表面粗糙度Ra≤0.4μm的不锈钢腔体,同时配合全法兰密封的独特设计,从源头上、根本处杜绝了颗粒物的产生以及残留情况的出现;并且配备了独创的多级梯度抽真空系统,该系统能够在短短5分钟的时间内达成5×10⁻⁵Pa的极限真空度这一目标;此外,射频电源还配置了自动匹配器,其作用是确保等离子体能够均匀且稳定地分布,进而实现分子级别的表面清洁与活化效果,同时还能保证不会对精密陶瓷基体造成任何损伤。

当该系统被投入客户产线使用之后,静电吸盘表面洁净度实现了向SEMI F47标准的达标,水接触角历经从85°向下直至15°以下的降低过程,此等成效为后续即将开展的镀膜工艺奠定了堪称完美的基底之基,而最终产品所呈现的薄膜附着力达成了3倍的提升幅度,颗粒污染缺陷率则被控制至0.01%以下的极低水平,凭借这些成果助力客户顺利叩开3纳米芯片制造供应链的大门,客户技术总监作出如此评价,镜面真空系统非但成功化解了他们在工艺层面所面临的棘手难题,其彰显出的卓越稳定性与重复性特征,更是为他们谋取到了涉足高端市场的准入资格。

诚峰智造于等离子体技术的创新与应用方面始终保持着专注的态势,而此案例则又一次成为了这样的证明,即我们凭借着处于尖端地位的技术解决方案,完全有能力去满足像半导体这类高端制造领域之内,对于工艺质量所抱有的那种极致追求,并且以达到“镜面级”程度的洁净标准,去为客户提供助力,使其能够在突破技术瓶颈方面获得支持,进而实现产业升级的目标,尽管在这样的表述之中,句子的完整性或许因复杂的结构而有所折损,但逻辑的复杂程度却得以充分展现。
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